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本发明的直拉式单晶生长炉中,经 输入管输入的气压为0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量为30L/min。 该流量不但不影响该炉中单晶的生长,平均每个直拉式单晶生长炉每 天可少消耗1440L,有效降低了生产成本,且利于在硅单晶生长过程 中单晶分子排列结构的整齐性,还利于提高电阻率的均布性。(2)本发明 的直拉式单晶生长炉中,碗形的气流导向装置设于坩埚支持器下方和炉底部的排气口之间,且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石 墨中轴及一对电极孔配合设置,有效地减小了炉内空间,便于迅速及时地 将炉内的一氧化硅与的混合气体排出,且利于减少热能和的消耗量,使原有的引晶功率从65KW减到61KW;另外,由于该炉的排气口与气流 导向装置的各通气孔相连通,
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单晶炉真空系统的除尘技术/单晶炉是单晶体生长设备。单晶体生长要求在真空和惰性气体中进行。真空装置应能保炉体内热真空度达5×1024mm 柱以上。如果使用惰性气体作保护气氛,炉体上、下都设有进出气的气口。生长单晶体时,抽真空及真空装置注入惰性气体后都需配备除尘装置。西安理工大学工厂生产的混合式除尘器较好地解决了这一问题。本厂单晶炉系列:TDR262A (B)、TDR280、TDR270A 等多种炉型近百台产品都使用这种除尘器。实践明,它的主要优点是除尘,能适应不同抽气阶段真空度的要求,容尘量大。其具体结构见图2、图3。该除尘器综合运用离心力、惯性碰撞、接触阻留、扩散这几种除尘机理。