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因此在投资单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场，从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中，实验与数值仿真是相辅相成的，其过程可以分为两个部分：（1）在阶段,利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整（2）在二阶段,利用数值模拟是用来确定的晶体生长工艺参数。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，单晶炉真空系统的除尘技术为便于分析研究起见，将整个除尘过程分为有联系而又有区别的如下三个过程。捕集分离过程该过程可分为捕集推移阶段和分离阶段。 捕集推移阶段　均匀混合或悬浮在气体中的粉尘进入除尘器的除尘空间，根据不同的除尘器类型经受不同的外力作用，将粉尘推移到分离界面。随着粉尘向分离界面推移，浓度也越来越大，故捕集推移阶段实质也是粉尘浓缩的阶段。分离阶段　高浓度的尘流向分离界面以后，有两种机理在起作用：气体运载粉尘的能力将达到极限状态，悬浮与沉降这对矛盾中，沉降成为主要方面，通过沉降，粉尘从气体中分离出来。极限状态的影响因素一般与气流速度及边壁的边界条件有关。