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由于 该炉的排气口 13与气流导向装置20的各通气孔2-3相连通,整个炉内的 一氧化硅与的混合气体(包括坩埚支持器14下方的混合气体)能通畅 地排出炉外,整个炉内不存在排气死角,既有效地防止了一氧化硅气体对 加热器7和坩埚支持器14等石墨器件的腐蚀,还可有效防止杂质粉尘吸附 在这些石墨器件上,从而确保了该炉的使用寿命。气流导向装置20的一对 通气孔2-3与该炉的一对排气口 13相对设置,缩短了排气管路的长度,利 于提高排气效率。
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直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。据统计,世界上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。目前晶体生长设备的现状\江南电力光伏科技有限江南电力光伏科技有限,引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种,具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权,是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的设备。装料量从95Kg~150Kg,可拉制6"~12"电路级和太阳能级单晶硅棒。分子泵回收,真空泵回收,真空流量计回收,plc编程回收,控制屏回收,离子泵回收,涡轮分子泵回收,螺杆真空泵回收,涡旋高真空泵回收,以上所述的具体实施例,对本发明解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。