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DL-78型单晶炉的热场和减压工艺\1前言集成电路生产的发展一方面不断缩小元件尺寸,以提高集成度;另一方面不断扩大硅片直径以减少芯片的离故度和降低成本。相应地,作为集成电路基础材料的硅单晶生产也在不断地提高其技术质量指标和增大单晶锭的直径和长度,以满足电路的要求和降低自身的生产成本。在国外市场上,硅晶体直径大致每4~5年增长1时(25.4mm),相应地,生产投料重也由1公斤逐渐发展为3~5公斤、8~12公斤、15~刘公斤和朋~6O公厅等几个等级。在这发展中,有两个条件是相辅相成、共同进步的,这是单晶炉和拉晶工艺。
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