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专利文献CN1205362C公开了 一种直拉硅单晶炉热场的气流控制方 法及装置，其包括在单晶炉晶体生长室内的石墨加热器和保温筒间装有密 封导气装置，使含有一氧化硅的气体的气流经密封导气装置的导气管 及排气口，在真空泵的作用下，排出炉外。密封导气管装置由导气管、底 座、密封环、排气口所组成，安装在石墨加热器和保温筒之间。上述现有技术的不足之处在于单晶炉的坩埚支持器下方的混合气体 不能有效的排出，从而使混合气体中的一氧化硅对加热器和坩埚进行腐蚀， 影响单晶炉的使用寿命。且其向炉内充入时的充气气压在1. 3xi0a 以上，导致其流量较大，故而消耗量大，生产成本较高。