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专利文献CN1205362C公开了 一种直拉硅单晶炉热场的气流控制方 法及装置,其包括在单晶炉晶体生长室内的石墨加热器和保温筒间装有密 封导气装置,使含有一氧化硅的气体的气流经密封导气装置的导气管 及排气口,在真空泵的作用下,排出炉外。密封导气管装置由导气管、底 座、密封环、排气口所组成,安装在石墨加热器和保温筒之间。上述现有技术的不足之处在于单晶炉的坩埚支持器下方的混合气体 不能有效的排出,从而使混合气体中的一氧化硅对加热器和坩埚进行腐蚀, 影响单晶炉的使用寿命。且其向炉内充入时的充气气压在1. 3xi0a 以上,导致其流量较大,故而消耗量大,生产成本较高。
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单晶炉提拉速度控制系统的设计与分析1 引 言半导体材料是半导体工业的基础材料 ,其中用量和用途广泛的是半导体硅。当今 95%以上的半导体器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成电路是硅集成电路 ,生产集成电路所需要的单晶硅 ,是在硅结晶生长开始时 ,用提拉的办法制成的。在单晶硅生产过程中 ,对晶体的提拉速度有十分严格的要求 ,从某种程度上讲提拉速度的控制好坏将直接影响到晶体的质量。对单晶硅生产过程中的提拉速度控制系统进行研究有实际意义。图 1示出了单晶炉提拉速度控制系统在单晶硅生产中的作用。提拉杆的运动是靠驱动电机通过减速器 ,再由齿轮齿条机构带动的。在单晶炉中 ,要求提拉单晶硅的提拉杆不仅能以某一期望线速度 V向上 (下 )运动 ,而且当提拉负载增大引起线速度为零时 ,提拉杆能保持其后位置而不上下滑动。在实际单晶炉中 ,对提拉控制系统提出的主要技术指标是 ,提拉速度在 0 .2~ 1 0 .0 mm/h范围之内实现无级可调 ,线性精度大于± 2 %分子泵回收,真空泵回收,真空流量计回收,plc编程回收,控制屏回收,离子泵回收,涡轮分子泵回收,螺杆真空泵回收,涡旋高真空泵回收,从除尘区域经上盘12 个圆孔进入排气区域(排气筒) 的弃尘气流终由排气口排出除尘器。上面主要论述了这种混合式除尘器的除尘机理和过程。值得提出的是,出于某些因素的考虑例如体积小、结构简单、经济性等等,该除尘器略去了排尘区域。所以,应该经常性拆卸进行清灰工作。下面给出这种除尘器的主要技术参数:圆柱容器高度H = 900mm; 内径= á 270mm; 进气口轴线偏离圆柱容器线e= 85mm; 进气口与排气口通径均为á 89mm。内、外层金属网均采用50 目的不锈钢丝网。顺便提一下,在很多情况下,用户拆去全部金属杆和金属网,仅以离心力作为主要除尘机理便满足了单晶炉真空系统的除尘要求。
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